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“面向第三代半導體應(yīng)用的高頻軟磁材料”項目研討會順利召開
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6月6日，“十四五”國家重點研發(fā)計劃 “面向第三代半導體應(yīng)用的高頻軟磁材料”項目研討會在北京召開，安泰科技作為“第三代半導體電源模塊關(guān)鍵技術(shù)集成研究與應(yīng)用” 課題的牽頭單位參加會議并作交流。
安泰非晶總經(jīng)理劉天成就第三代半導體電源模塊關(guān)鍵技術(shù)集成研究與應(yīng)用進行了詳細匯報，基于公司開發(fā)的高性能納米晶軟磁合金，課題參研單位順利完成了SiC半導體器件可編程電源和GaN半導體器件充電電源設(shè)計、樣機制作、第三方性能檢測及應(yīng)用示范，達到考核指標要求。
總體專家組副組長張世超教授、責任專家王海北教授對項目整體進展情況給予高度評價，對安泰科技在項目中取得的成果和做出的貢獻給予充分肯定。專家組認為，項目技術(shù)指標已提前完成，標志著我國在開發(fā)適用于SiC/GaN第三代半導體功率電源和高端電感器件的高性能軟磁材料體系及其制備工藝技術(shù)方面取得了重大突破。
未來，安泰科技將聯(lián)合團隊深入研究材料高頻損耗及磁化機理，推動新型軟磁材料在第三代半導體高頻電源等元器件中的技術(shù)集成與示范應(yīng)用，助力提升我國相關(guān)領(lǐng)域競爭力，鞏固行業(yè)領(lǐng)軍地位。
